簡(jiǎn)介：

單晶硅壓力變送器采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器，單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部，遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面，實(shí)現(xiàn)機(jī)械隔離和熱隔離，玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線與金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護(hù)的能力，可應(yīng)對(duì)復(fù)雜的化學(xué)場(chǎng)合和機(jī)械負(fù)荷，同時(shí)具備較強(qiáng)的抗電磁力，適合苛刻的流程工業(yè)環(huán)境中壓力測(cè)量應(yīng)用。

優(yōu)勢(shì)：

單晶硅技術(shù)壓力傳感器

集成電路與表面封裝技術(shù)的信號(hào)變送模塊

顯示模塊可355°旋轉(zhuǎn)

殼體外隔離磁感應(yīng)三按鍵參數(shù)設(shè)置

耐瞬變電壓保護(hù)端子模塊

特征：

測(cè)量范圍: 10kPa-10MPa

輸出信號(hào): 4-20mA, 4-20mA+HART、Modbus-RTU/RS485

參考精度: ±0.2%,±0.15%,±0.1%,±0.075% URL

電源: 4~20mA 二線制, 10.5-55vdc、4~20mA+HART 二線制, 16.5-55vdc

過(guò)程連接: M20*1.5(M), G1/2(M), G1/4(M), 1/2-14NPT(M)

測(cè)理介質(zhì): 液體、氣體、蒸汽