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NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

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NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述：NANO-MASTER PECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到可達(dá)12" 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢(shì).樣品臺(tái)可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。

詳細(xì)介紹

NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述：NANO-MASTER PECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO₂, Si₃N₄, 或DLC薄膜到可達(dá)12" 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢(shì).樣品臺(tái)可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，腔體可以達(dá)到低至10^-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個(gè)MFC.帶有無(wú)二氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無(wú)論是等離子強(qiáng)度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。