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德國(guó)分子束外延 Laser MBE

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Laser MBELaser MBE特點(diǎn)模塊化概念，Laser MBE可以輕松升級(jí)到傳輸模塊或其他模塊UHV PLD主腔室、利用Load-lock實(shí)現(xiàn)襯底和靶材的UHV傳輸?shù)墓に囎詣?dòng)化功能，可實(shí)現(xiàn)超晶格生長(zhǎng)溫度測(cè)量準(zhǔn)確的耐氧襯底加熱器，1000 ℃，也可以選配激光加熱靶臺(tái)可以屏蔽交叉污染，傳輸整個(gè)carrousel而非單個(gè)靶材真空腔室利于系統(tǒng)升級(jí)。

詳細(xì)介紹

Laser MBE

特點(diǎn)

模塊化概念，Laser MBE可以輕松升級(jí)到傳輸模塊或其他模塊
UHV PLD主腔室、利用Load-lock實(shí)現(xiàn)襯底和靶材的UHV傳輸
的工藝自動(dòng)化功能，可實(shí)現(xiàn)超晶格生長(zhǎng)
溫度測(cè)量準(zhǔn)確的耐氧襯底加熱器，1000 ℃，也可以選配激光加熱
靶臺(tái)可以屏蔽交叉污染，傳輸整個(gè)carrousel而非單個(gè)靶材
真空腔室利于系統(tǒng)升級(jí)（RHEED，等離子體源，OES/FTIR等）
SURFACE激光能量密度控制選件，99%的結(jié)果可重復(fù)性
全封閉光路，安全省事
整套交付，的在線支持

PLD/Laser MBE腔室

SURFACE的Laser MBE腔室專為科研而設(shè)計(jì)，并提供高級(jí)Laser MBE需要的所有特征。

襯底和靶材的UHV傳輸
冷壁設(shè)計(jì)防止沉積過程中腔壁放氣
原位分析窗口和法蘭口（RHEED，OES或FTIR，質(zhì)譜儀）
沉積源和等離子體源備用法蘭口
的SURFACE襯底加熱器或激光加熱
靶臺(tái)最多可存貯5個(gè)1寸靶材

激光能量密度控制

Laser MBE可以選配SURFACE 激光能量密度控制功能。它可以確保薄膜沉積的重復(fù)性。在每一步沉積前，自動(dòng)校準(zhǔn)激光能量密度，脈沖能量隨著時(shí)間推移而始終保持恒定。

Load Lock

Loadlock腔室最多可同時(shí)裝載5個(gè)樣品和2個(gè)靶臺(tái)carrousel。

控制軟件

SURFACE的Laser MBE設(shè)備均是高度自動(dòng)化的，可以自動(dòng)控制整個(gè)沉積過程，從而確保設(shè)備易于操作。

多個(gè)工藝步驟被合并到一個(gè)沉積程序中，直觀的工藝過程可視化操作，高度靈活的數(shù)據(jù)記錄和導(dǎo)出，優(yōu)異的自我測(cè)試能力。

升級(jí)到Cluster系統(tǒng)

Cluster系統(tǒng)

Laser MBE可以輕松升級(jí)為功能齊備的cluster系統(tǒng)。在PLD主腔室和Load-lock進(jìn)樣室中間插入cluster傳輸模塊。模塊化設(shè)計(jì)和輪式支架簡(jiǎn)化了升級(jí)過程，可根據(jù)需要和預(yù)算來升級(jí)系統(tǒng)。